光晶格势阱中Bose-Einstein凝聚临界温度和凝聚比例

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摘要研究了光晶格势场中Bose-Einstein凝聚的临界温度和凝聚比率.结果表明光晶格势场中临界温度可以用在一个晶格中的等效凝聚温度来表征.结果可用于纯光阱囚禁的Bose-Einstein凝聚的临界温度和凝聚比例的快速计算.对于一般势阱深度,一个晶格中临界温度可以用等效临界温度来估算;q个晶格中的临界温度正比于q-3/2;对于深势阱,任意q个晶格中的临界温度应为一个晶格中的临界温度.提出了势阱深度或拉比频率的标准和每个晶格中装载的原子数目的极限.

作者余学才黄雪叶玉堂

机构地区电子科技大学光电信息学院

出处《中国科学（G辑）》 CSCD 2006年第6期616-623,共8页

关键词 BOSE-EINSTEIN凝聚临界温度光晶格

分类号 TN204 [电子电信—物理电子学]

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