SBD势垒高度的影响因素分析

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摘要目前,硅材料的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode SBD)的击穿电压普遍很低,严重影响其实际应用。为了解决这个关键性的问题,本文采用实验与理论分析相结合的方式,着重于表面态、界面层对势垒高度的影响进行研究。提取出三个重要参数,表面态密度Di、界面层电容密度Ci和表面态中性能级Φ0。结果表明:势垒高度的高低强烈依赖于这三个特性参数的大小。

作者何丽丽殷景华

机构地区哈尔滨理工大学应用科学学院

出处《科技信息》 2007年第4期58-59,共2页 Science & Technology Information

关键词肖特基二极管(SBD) 势垒高度表面态界面层

分类号 TN311.7 [电子电信—物理电子学]

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