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VDMOSFET沟道区的研究 被引量：1

Study on the Channel Region of VDMOSFET
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摘要 讨论了影响沟道长度及沟道的夹断区长度的因素,通过沟道区的优化促进了VDMOSFET性能的提高. In this paper,the factors which affect the channel length and the length of the pinch - off region of the channel are discussed, and the function of the VDMOSFET is improved by optimizing the channel section.
作者 石广源 李严 李永亮 高嵩
机构地区 辽宁大学物理系
出处 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第1期11-14,共4页 Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition
基金 沈阳市科技局科研项目(1032029-2-06)
关键词 沟道长度 夹断区 VDMOSFET the channel length pinch -off region VDMOSFET
分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]
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参考文献5

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  • 5Jacinto Paredes.A steady-state VDMOS transistor model[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1992,39(3):712-718.

同被引文献2

引证文献1

辽宁大学学报（自然科学版）
2007年 第1期

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