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温度对PTCDA结构形貌影响的Raman和AFM分析

Raman spectra and AFM analysis for the temperature-dependent structure of PTCDA
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摘要 通过真空蒸发将PTCDA淀积在p-Si(100)面。采用Raman光谱,AFM分别研究了衬底温度对于PTCDA分子结构和表面形貌的影响,进而完善了p-Si基PTCDA薄膜的生长机制。 The PTCDA films were grown on p-Si（100） by vacuum evaporation. We investigated the influence of substrate temperature on the molecule structure and surface morphology of the PTCDA by Raman and AFM, Moreover we consummated the growth mode of PTCDA on p-Si.
作者 孙硕 胥超 张桂铃 苏庆 李建丰 欧谷平 张福甲
机构地区 兰州大学物理科学与技术学院 湖南科技大学物理学院
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期540-541,545,共3页 Journal of Functional Materials
基金 国家自然科学基金(60626033) 甘肃省自然科学基金(3ZS041-A25-001)
关键词 PTCDA/p—Si RAMAN光谱 AFM 衬底温度 PTCDA/p-Si Raman spectra AFM substrate temperature
分类号 TN304 [电子电信—物理电子学] O484.4 [理学—固体物理]
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参考文献2

二级参考文献17

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共引文献11

功能材料
2007年 第4期

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