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铝锆碳质滑板中SiC晶须形成机理 被引量:4

Growth mechanism of SiC whisker in Al_2O_3-ZrO_2-C slide gate
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摘要 以铝锆碳滑板基质部分为研究对象,以金属硅粉、石墨和碳黑为原料,混合后在埋碳气氛下,于1200-1600℃范围内进行高温处理。通过透射电镜和能谱仪分析,研究发现碳化硅晶须为哑铃状,并且随着热处理温度升高,哑铃状小球慢慢减少,在这个过程中,SiC晶须的生长机理为气-固反应模型。 This paper studies the matrix of Al2O3-ZrO2-C slide gate using materials of silicon powder, graphite and carbon mixed and treated in coke powder at 1 200-1 600 ℃. By means of transmission electro microscope (TEM) and spectrometer analyses, SiC whisker in the matrix was found to be dumbbell-like and it could become smaller with temperature increasing. In this condition, the growth mechanism of SiC whisker is controlled by gas-solid reaction.
作者 白晨 黄志明
出处 《钢铁研究》 CAS 2007年第3期8-11,共4页 Research on Iron and Steel
基金 湖北省自然基金资助项目(2006ABA287)
关键词 SIC晶须 机理 铝锆碳滑板 SiC whisker growth mechanism Al2O3-ZrO2-C slide gate
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