摘要
报道了GaAs／InGaAs异质结双杨功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些关键工艺，给出了器件性能。在12GHz下，最大输出功率≥130mW，增益≥12dB，功率附加效率≥30％。
In this paper, the design and fabrication of Ku-band GaAs/InGaAs heterojunction dual-gate power FET are reported. Some key techniques are discussed. Excellent microwave performances of the device have been achieved:PoM≥ 130 mW,GPM≥12 dB and Vaod≥30% at 12 GHz.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期110-113,共4页
Research & Progress of SSE
关键词
异质结
双栅功率
场效应晶体管
CaAs/InGaAs
Heterojunction
Dual-gate Power FET
