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LaSrGaO_4:Cu^(2+)晶体电子顺磁共振参量和缺陷结构的研究 被引量：3

Studies of the EPR parameters and defect structure for LaSrGaO_4:Cu^(2+) crystal
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摘要 采用3d9离子在四角对称中的高阶微扰公式,计算了LaSrGaO4:Cu2+晶体的电子顺磁共振(EPR)参量g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥,A⊥.计算结果与实验值较好符合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了Cu2+杂质中心缺陷结构的信息.我们对上述结果进行了讨论. Abstract： The EPR parameters （g factors g∥, g⊥ and hyperfine structure constants A∥, A⊥） for LaSrGaO4： Cu^2 ＋ crystal are calculated from the high-order perturbation formulas of 3d^9 ion in tetragonal symmetry. The Calculated results are in agreement with the observed values. Since the EPR parameters are sensitive to the local structure of a paramagnetic impurity center, the defect structure of Cu^2＋ center in LaSrGaO4 crystal is estimated. The results are discussed.
作者 冯文林 刘虹刚 方旺
机构地区 重庆工学院数理学院应用物理系 四川大学材料科学系
出处 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期666-668,共3页 Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)
基金 重庆工学院科研基金(2005Z077)
关键词 电子顺磁共振参量 缺陷结构 LaSrGaO4:Cu^2+晶体 EPR parameters, defect structure, LaSrGaO4： Cu^2＋ crystal
分类号 O737 [理学—晶体学]
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参考文献17

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共引文献1

同被引文献47

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引证文献3

二级引证文献1

四川大学学报（自然科学版）
2007年 第3期

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