期刊文献+

减小雪崩光电二极管温度影响的研究 被引量:1

Decreasing the Temperature Influence on Avalanche Photodiodes
原文传递
导出
摘要 本文就如何减小温度对雪崩光电二级管响应度的影响进行了研究。文中从理论上分析了温度以及偏置电压对雪崩光电二极管响应度的影响,并在此基础上提出了两种减小温度影响的可行方法:恒温恒压法和偏置电压温度补偿法。 In this paper the influences of ambient temperature and bias voltage on avalanche photodiodes`(APDs`) responsivity are analysed, and the ways of decreasing the influences are discussed. Based on the above analyses, two available methods are proposed and proved with experiments.
出处 《光学技术》 CAS CSCD 1997年第3期7-9,共3页 Optical Technique
关键词 雪崩二极管 光电二极管 温度效应 avalanche photodiodes, measurement
  • 相关文献

同被引文献7

  • 1马静,辛波.基于空间应用环境的光纤陀螺可靠性分析[J].中国惯性技术学报,2006,14(6):81-85. 被引量:6
  • 2郝国强,张永刚,刘天东,李爱珍.InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究[J].半导体光电,2004,25(5):341-344. 被引量:22
  • 3黄章勇.光电子器件和组件[M].北京:北京邮电大学出版社,2001..
  • 4XU Xiao-bin, YI Xiao-su, ZHANG Chun-xi. Design of miniaturized fiber optic gyroscope[C]//6^rd International Symposium on Instrumentation and Control Technology, Proceedings of SPIE, Vol.6358, 2006.
  • 5Northrop Grumman Corporation 2004 Annual Report. [EB/OL]. [2004-08-06]http://www.northropgrumman.com/index.html.
  • 6XIANG Jian-wen, Futatsugi K, HE Yan-xiang. Fault tree and formal methods in system safety analysis[R]. Japan: Proceedings of the Fourth International Conference on Computer and Information Technology, 2004.
  • 7Ock K K, Bulusu V D, Zuber J R. A low dark-current, planar InGaAs p-i-n photodiode with a quaternary InGaAsP cap layer[J]. IEEE J. Quantum Electron, 1985, 21(2): 138-143.

引证文献1

二级引证文献7

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部