摘要
报导了由射频溅射制备稀土（Ｙ）硅化物薄膜．样品的红外吸收光谱中，在８６５ｃｍ－１有一个强吸收峰，而在４６２ｃｍ－１有一个弱吸收峰．样品进行高温退火后，强吸收峰基本没有变化，而弱吸收峰随退火温度的升高而增强．我们认为强吸收峰是ＹＳｉ２的键振动吸收。
y )(Sr 1- x P b x )TiO 3· y (Bi 2O 3·2TiO 2) based on SrTiO 3.by adjusting the formulation and improving the process,the ceramic used to manufacture high voltage capacitor has been obtained.While x =0.37 and y =0.13,the permittvity of the made ceramic may be greater than 2200.
出处
《山东大学学报（自然科学版）》
CSCD
1997年第2期171-173,共3页
Journal of Shandong University(Natural Science Edition)
关键词
稀土硅化物
制备
红外吸收光谱
射频溅射
Capacitor Ceramics
Formulation
Technology
Dielectric Constant
