期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

并五苯场效应晶体管的研制

Fabrication of pentacene organic field effect transistor
下载PDF
导出
摘要 以X射线衍射仪（XRD）研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶体结构，通过原子力显微镜（AFM）分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌。以热氧化的硅片作为绝缘栅极，并五苯作为有缘层，采用底接触结构，研制场效应晶体管。经过测试得到其场效应迁移率为1．23cm^2/Vs，开关电流比＞10^6。 Using the atomic force microscopic images analyzed the surface morphologies and X-ray diffraction （XRD） patterns analyzed the crystal structure of the samples. Thermally grown silicon dioxide was used as the gate dielectric, pentacene as the semiconductor layer. We fabricated the field effect transistor with bottom-contact configuration. The highest mobility of the device is 1.23 cm^2/Vs, the on/off ratio is about 10^6.
作者 陶春兰 董茂军 张旭辉 张福甲
机构地区 兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期860-862,共3页 Journal of Functional Materials
基金 国家自然科学基金资助项目（60676033）.
关键词 并五苯 场效应晶体管 XRD AFM 迁移率 pentacene field-effecttransistor XRD AFM mobility
分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献11

  • 1Dimit Rakopoulos C D, Malenfant P R L. [J]. Adv Mater, 2002,14 (2): 99.
  • 2Horowitz G. [J]. Journal of Materials Research, 2004, 19 (7): 1946.
  • 3Newman C R, Chesterfield R J, Panzer M J, et al. [J]. J Appl Phys, 2005, 98(8): 084506.
  • 4邱勇,胡远川,董桂芳,王立铎,谢俊锋,马亚宁.柔性全有机薄膜场效应晶体管的制备和性能[J].科学通报,2003,48(9):909-912. 被引量：8
  • 5刘承斌,范曲立,黄维,王迅.有机场效应晶体管材料及器件研究进展[J].物理,2005,34(6):424-432. 被引量：14
  • 6Torsi L, Dpdabalapur A, Sabbatini L. [J]. Sensors and Actuators B, 2000, 67: 312-316.
  • 7Hu W P, Liu Y Q, Xu Y, et al. [J]. Thin Solid Films, 2000, 360(1-2): 256-260.
  • 8Jurchescu O D, Baas J, Palstra T T M. [J]. Appl Phys Lett, 2004, 84(16): 3061.
  • 9Campbell R B, Robertson J Monteath, Trotter J. [J]. Acta Cryst, 1961, 14: 705.
  • 10Minakata T, Imai H, Ozaki O, et al. [J]. J Appl Phys, 1992, 72: 5220-5225.

二级参考文献118

  • 1Tsumura A, Koezuka H, Ando T. Macromolecular electronic devices: field-effect transistor with a polythiophene film. Appl Phvs Lett. 1986.49(18): 1210-1212.
  • 2Lin Y Y, Gundlach D J, Nelson S F, et al. Stacked pentacene layer organic thin-film transistors with improved characteristics. IEEE Electron Device Letters, 1997, 18(12): 606-608.
  • 3Lin Yenyi, Gundlach D J, Nelson S F, et al. Pentacene-based organic thin-film transistors. IEEE Transcations on Electron Devices, 1997, 44(8): 1325-1331.
  • 4Liu Y Q, Hu W P, Qiu W E et al. Organic field-effect transistors based on Langmuir-Blodgett films of substituted phthalocyanines.Sensors and Actuators B, 2001, 80(3): 202-207.
  • 5Brown A R, Pomp A, Hart C M, et al. Logic gates made from polymer transistors and their use in ring oscillators. Science, 1995,270:972-974.
  • 6Crone B, Dodabalapur A, Lin Y Y, et al. Large-scale complementary integrated circuit based on organic transistors.Nature, 2000, 403:521-523.
  • 7Crone B K, Dodabalapur A, Sarpcshkra R, et al. Design and fabrication organic complementary circuits. J Appl Phys, 2001,89(9): 5125-5132.
  • 8Torsi L, Dpdabalapur A, Sabbatini L. Multi-parameter gas sensors based on organic thin-film-transistors. Sensors and Actuators B,2000, 67:312-316.
  • 9Hu W P, Liu Y Q, Xu Y, et al. The gas sensitivity of a metal-insulator-semiconductor field-effect-transistor based on Langmuir-Blodgett films of a new asymmetrically substituted phthalocyanine. Thin Solid Films, 2000, 360(1-2): 256-260.
  • 10Torsi L, Dpdabalapur A, Cioffi N, et al. NTCDA organic thin-film-transistor as humidity sensor: weaknesses and strengths.Sensors and Actuators B, 2001, 77:7-11.

共引文献15

功能材料
2007年 第A02期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部