摘要
首先采用注硅的方法改进sIMOx（注氧隔离）SOI（绝缘体上硅）材料，对硅注入在SIMOX材料的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇的结构进行了论述。并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析。最后，对利用注硅改进的SIMOX材料制备的MOSFET的辐射特性进行了报道。
Silicon ion implantation was used to improve SIMOX （Separation by Implanted Oxygen） SOI （Silicon on Insulator） substrate. The formation and properties of Si nanocrystals embedded in BOX implanted with Si was investigated and analyzed.This work shows that silicon ion implantation could greatly reduce back channel threshold voltage shifts.
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A04期1683-1685,共3页
Journal of Functional Materials
