摘要
研究了半导化元素Y和第二相添加剂SiO2对PTCR型(Sr,Pb)TiO3陶瓷材料电学性能的影响。结果表明,Y和SiO2的含量对材料的半导化性能影响显著,它们的较佳的含量(摩尔分数)分别在0.1%~0.6%和0.2%~0.5%之间,最低电阻率可达10Ω·cm。借助复平面阻抗分析发现,无论是SiO2添加剂还是半导化元素Y都主要是通过影响材料的晶界行为而控制材料的宏观电学性能的。
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1997年第5期346-350,共5页
Piezoelectrics & Acoustooptics