摘要
为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静电放电失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表现为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理为：在强电场、大电流及ｎｓ级瞬时冲击下，辅之以电热迁移和扩散，致使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ肖特基势垒受到不同程度损伤，Ｇ－Ｓ、Ｇ－Ｄ间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理，找出在设计、工艺和材料上的缺陷，以提高器件抗静电能力．
The GaAs MESFET is a key component in microwave technology. Based on experiments and applications, this paper probes into the mechanism of its potential failures, with the ultimate aim of increasing the safe maximum value of electrostatic discharge for devices in general.
出处
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1997年第5期585-590,共6页
Journal of Tianjin University(Science and Technology)
关键词
砷化镓
场效应管
静电放电
失效
潜在性失效
GaAs MESFET, electrostatic discharge, potential failure, Schottky barrier
