摘要
考虑磨粒黏着力、芯片表面缺陷和表面氧化薄膜厚度以及磨粒/抛光垫大变形的条件下,通过量级估算的方法研究了分子量级的化学机械抛光(CMP)材料去除机理.理论分析和试验研究结果表明:磨粒压入芯片的深度、磨粒在芯片表面的划痕深度以及抛光后芯片表面的粗糙度都在分子量级或者更小.因此,分子量级的CMP材料去除机理得到了理论分析和试验数据较为广泛的证实.此外,随着磨粒直径的减小,CMP材料分子去除机理成为CMP机理研究中富有活力的新分支.该研究对于证实分子量级的CMP材料去除机理具有较大的意义,同时该结果对进一步CMP微观去除机理的研究具有理论科学意义.
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期359-363,共5页
Chinese Science Bulletin
基金
江苏省自然科学基金(批准号:BK2004020)
清华大学摩擦学国家重点实验室开放基金(批准号:SKLT04-06)
教育部回国人员启动基金(批准号:2004527)资助项目
