GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电子干涉与红外吸收

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摘要在室温下测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的红外吸收，观察到在７０６、７７０、１０４６、１２８２和１６５３ｃｍ－１处的几个吸收峰．认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关，理论计算的吸收峰位置与实验结果很一致．

作者程兴奎黄柏标徐现刚刘士文任红文蒋民华

机构地区山东大学光电材料与器件研究所山东大学晶体材料研究所

出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期339-343,共5页 Journal of Infrared and Millimeter Waves

基金国家自然科学基金

关键词多量子阱结构电子干涉红外吸收砷化镓铝镓砷

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红外与毫米波学报

1997年第5期

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