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GaAs中的离子注入技术 被引量：1

Ion Implantation in GaAs
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摘要 在ＧａＡｓ集成电路和器件研制中，离子注入是关键技术之一．介绍了用离子注入ＧａＡｓ形成ｎ型和ｐ型区，以及离子注入ｐ型和ｎ型ＧａＡｓ形成绝缘层、形成ｎ＋ＧａＡｓ深埋层等重要技术．对有关物理机制进行了讨论并提出了一些新见解；该离子注入新工艺已经应用于ＧａＡｓ器件和集成电路的研制，获得了多种新型器件． Optical and electrical properties of Si GaAs wafers implanted with Si +, S +, Be +, Mg +, B +, O + have been investigated in this paper.
作者 李国辉 姬成周 刘伊犁 罗晏 韩德俊
机构地区 北京师范大学低能核物理所
出处 《原子核物理评论》 CAS CSCD 1997年第3期177-180,共4页 Nuclear Physics Review
基金 国家自然科学基金 国家"863"计划 北京市自然科学基金
关键词 离子注入 白光快速退火 砷化镓 半导体器件 GaAs ion implantation rapid thermal annealing
分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN305.3 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献13

  • 1张燕文,姬成周,李国辉.MeV Si^+注入SI-GaAs的激活能研究[J].固体电子学研究与进展,1993,13(3):205-209. 被引量：1
  • 2朱德华,李国辉,张通和,王玉琦,孙贵如.Si,As双注入GaAs的RTA研究[J].Journal of Semiconductors,1990,11(2):140-143. 被引量：5
  • 3张通和，北京师范大学学报，1987年，3期，41页
  • 4李国辉，北京师范大学学报，1992年，28卷，4期，478页
  • 5刘伊犁，北京师范大学学报，1992年，28卷，4期，472页
  • 6王策寰，北京师范大学学报，1992年，28卷，增1期，45页
  • 7李国辉，北京师范大学学报，1990年，26卷，4期，23页
  • 8Wang Z G，第七届III.V族化合物半导体国际会议，1992年
  • 9李国辉，全国微波器件会议，1992年
  • 10刘伊犁，北京师范大学学报，1992年，27卷，增2期，51页

共引文献7

同被引文献10

  • 1王建林,王良臣,曾一平,刘忠立,杨富华,白云霞.Design and Realization of Resonant Tunneling Diodes with New Material Structure[J].Journal of Semiconductors,2005,26(1):1-5. 被引量：1
  • 2王建林,刘忠立,王良臣,曾一平,杨富华,白云霞.RTD与PHEMT集成的几个关键工艺[J].Journal of Semiconductors,2005,26(2):390-394. 被引量：2
  • 3MAEZAWA K, AKEYOSHI T, MIZUTANI T. Functions and applications of monostable-bistable transition logic elements (MOBILE's) having multiple-input terminals [ J]. IEEE Trans on ED,1994,41(2):148-154.
  • 4IBERGMAN J, CHANG J, JOO Y, et al. RTD/ CMOS nanoelectronic circuits:thin-film inp-based resonant tunneling diodes integration with CMOS circuits [ J ]. IEEE EDL, 1999,20 (3) :119-122.
  • 5CHEN C L, MAHONEY L J, CALAWA S D, et al. Planar integration of a resonant-tunneling diode with pHEMT using a novel proton implantation technique [J]. IEEE EDL, 1998, 19 (12) :478-480.
  • 6CHEN C L,MATHEWS R H,MAHONEY L J,et al. New self- aligned planar resonant-tunneling diodes for monolithic circuits [J].IEEE EDL, 1997,18 (10) : 489-491.
  • 7MASAHIRO T, HIROYUKI S, JUNJI Y, et al. Room temperature observation of differential negative resistance in an AlAs/GaAs/AlAs resonant tunneling diode [ J ]. JJAP, 1985,24 (6) : L466-L468.
  • 8MASAHIRO T , HIROYUKI S. Precise control of resonant tunneling current in AlAs/GaAs/AlAs double barrier diode with atom ically-controlled barrier widths [ J ]. JJAP, 1985,24 (6) :L185-L187.
  • 9SEN S, CAPASSO F, SIVCO D , et al. New resonant tunneling devices with maltiple negative resistance regions and high room-temperature peak-to-valley ratio[J]. IEEE EDL, 1988,9 (8) :402-424.
  • 10张世林,郭维廉,梁惠来,侯志娟,牛萍娟,赵振波,郭辉.共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题[J].固体电子学研究与进展,2003,23(3):329-333. 被引量：8

引证文献1

二级引证文献1

原子核物理评论
1997年 第3期

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