摘要
稀磁半导体(DMS)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景.ZnO基稀磁半导体材料的研究主要集中在:(1)优化生长参数,获得高质量的薄膜;(2)选择不同的掺杂元素与掺杂量,通过单掺杂或共掺杂技术,提高材料的居里温度,奠定其应用的基础.
Diluted magnetic semiconductors （DMSs） are expected to play an important role in interdisciplinary materials science and future spintrlnics because charge and spin of electrons are accommodated into single matter resulting in interesting magnetic, magneto-optical, magneto-electric and other properties. The scope of the research is as follows： （1） Optimizing the growing pa- rameter to obtain better ZnO films. （2） Doping different elements and different contents by doping or co-doping to realize the high Curie temperature.
出处
《渭南师范学院学报》
2008年第2期29-34,共6页
Journal of Weinan Normal University
基金
渭南师范学院科研基金资助项目(08YKS025)
关键词
ZNO
稀磁半导体
居里温度
掺杂
过渡元素
ZnO
diluted magnetic semiconductor
Curie temperature
doping
transition dements
