期刊文献+

基于生长方向的P型ZnO薄膜特性的研究 被引量:4

Study of electrical and structural properties of p-type ZnO films along to the growth direction
下载PDF
导出
摘要 利用超声雾化热分解法(USP),通过N-Al共掺的方法,制备出p型ZnO薄膜。利用霍尔测试、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜分析了不同生长时间ZnO薄膜样品的电学特性、结构和表面形貌的变化。结果表明:其它条件固定时,只有在合适的生长时间条件下,才能得到电学性能较好的N-Al共掺p型ZnO薄膜(电阻率为46.8Ω.cm、迁移率为0.05cm2.V-1.s-1、载流子浓度是2.86×1018cm-3。 N -Al co-doped p-type ZnO films were Fabricated by ultrasonic spray pyrolysis. Electrical properties, structural properties,and surface morphology of the ZnO films which were fabricated at diffrent growth times were studied by Hall measurement,X ray diffraction(XRD) and scanning electron microscope(SEM) ,respectively, The results indicated that N-Al co doped p type ZnO film with relatively good properties that include resistivity of 16.8 Ω·cm .hall molbility of 0.05 cm^2 V ^-1 s ^-1 and carrier concentration of 2.86 ×10^18cm^-3was obtained at a suitable growth when when conditions were fixed.
出处 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期482-485,共4页 Journal of Optoelectronics·Laser
基金 国家自然科学基金资助项目(60506003) 天津市自然科学基金资助项目(05YFJMTC01600) 南开大学博士启动基金资助项目(J02031) 科技部国际合作重点资助项目(2006DFA62390) 国家重点基础研究发展规划资助项目(2006CB202602,2006CB202603) 新世纪优秀人才计划资助项目
关键词 超声雾化热分解法 N-Al共掺ZnO P型ZNO ultrasonic spray pyrolysis N-Al co-doped p-type ZnO
  • 相关文献

参考文献22

二级参考文献67

共引文献51

同被引文献41

  • 1赵武,邓周虎,闫军锋,张志勇.SiC薄膜的制备及其光敏特性[J].华中科技大学学报(自然科学版),2007,35(S1):37-40. 被引量:1
  • 2王新胜,杨天鹏,刘维峰,徐艺滨,梁红伟,常玉春,杜国同.p型ZnO掺杂及其发光器件研究进展与展望[J].材料导报,2006,20(1):104-108. 被引量:9
  • 3边继明,刘维峰,胡礼中,梁红伟.超声喷雾热解法生长氧化锌同质p-n结及其电致发光性能研究[J].无机材料学报,2007,22(1):173-175. 被引量:6
  • 4陈新亮,薛俊明,张德坤,孙健,任慧志,赵颖,耿新华.反应压力对MOCVD法沉积ZnO薄膜性质的影响[J].光电子.激光,2007,18(7):763-766. 被引量:7
  • 5SHI Lin-xing, SHEN Hua,JIANG Li-yong,et al. Co-emission of UV,violet and green photoluminescence of ZnO/TiO2 thin film [J]. Materials Lett. ,2007,61:4735-4737.
  • 6Sciuto A, Roccaforte F, Franco S D, et al. High responsivity 4H-SiC schottky UV photodiodes based on the pinch off surface effect[J]. Appl Phys Lett, 2006,89:081111.
  • 7Yan F,Qin C,Zhao J H,et al. Demonstration of 4H-SiC avalanche photodiodes linear-ray [J]. Solid-State Electronics, 2003,47:241-242.
  • 8Chen X P,Yang W F,Wu Z Y. Visible blind p-i-n ultraviolet photodetector fabricated on 4-H-SiC[J]. Microelectronic Engineering, 2006,83 : 104-106.
  • 9Ozpineci B,Tolbert L M. Characterization of SiC schottky diodes at different temperatures[J]. IEEE Power Elect. Lett., 2003,1(2) :54-57.
  • 10V A Gubanova, Boekema C, Fong Y. Electronic structure of cubic silicon carbide doped by 3d magnetic ions[J]. Appl. Phys. Lett. ,2001,78:216-218.

引证文献4

二级引证文献10

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部