低阈值电压控制技术

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摘要本文论述了在标准1．0微米CMOS工艺线基础上开发的1～1．2微米工艺的阈值电压影响因素，对阈值电压的几种控制方法进行了分析比较，探讨了低阈值电压（0．5V左右）的控制，并介绍了如何根据电路的需要来选取阈值电压的控制方法。

作者肖志强

机构地区中国华晶电子集团公司中央研究所二室

出处《微电子技术》 1997年第3期25-29,共5页 Microelectronic Technology

关键词 CMOS 低阈值电压控制技术场效应器件

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微电子技术

1997年第3期

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