摘要
本文在一维理论的基础上,经微处理机模拟计算,设计给出了工作在8—14μm波段SPRITE探测器的优化参数:器件长700μm,宽62.5μm,厚7μm,读出区长度50μm,工作偏压2.8V。结果表明,受器件粘接胶层热阻及扫出效应的影响,更大的器件工作偏压只能使器件优值参数探测率和调制传递函数交劣。计算结果还表明,尽可能减少器件在衬底上的粘接胶层厚度,背景辐射及材料的净掺杂浓度,有利于提高器件性能。
出处
《红外技术》
CSCD
1990年第3期6-12,26,共8页
Infrared Technology
