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500V/0.4ΩVDMOSFET导通电阻的优化设计

The Optimal Design of the Ron in 500V/0.4Ω VDMOSFET
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摘要 介绍了VDMOSFET工作原理和VDMOSFET导通电阻的组成.利用Mathematica软件作出了VD-MOSFET单胞电阻随Lw与Lp变化关系的三维曲线图.以500 V/0.4Ω VDMOSFET为例对导通电阻进行优化设计. in this paper, the working principle of VDMOSFET and the composition of onresistance are described. Mathematical software is used to make a 3D curve of single -cell on -resistance of VDMOSFET which changes with Lp and Lw. Make the example of VDMOSFET 500V/0. 4 Ω for on - resistance optimal design.
作者 王中文 刘少鹏 卢雪梅
机构地区 辽宁大学物理学院
出处 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2008年第3期204-205,共2页 Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition
基金 沈阳市科委(1032029-2-06)
关键词 VDMOSFET 导通电阻 MATHEMATICA软件 VDMOSFET on - resistance Mathematica software.
分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献3

二级参考文献12

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共引文献15

辽宁大学学报（自然科学版）
2008年 第3期

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