第六代1200V槽栅FS-IGBT模块

The 6th Generation 1200V Trench Field-Stop IGBT Modules

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摘要本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是"低噪声辐射"、"高性能"和"紧凑性"。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V-IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装的PIM(功率集成模块)功率额定值已被提高到1200V- 150A,对于17mm厚的新型二合一模块,功率额定值则达到1200V-600A。

作者游雪兰吴郁张彦飞

机构地区北京工业大学

出处《变频器世界》 2008年第9期61-64,共4页 The World of Inverters

关键词 IGBT模块槽栅模块技术封装技术噪声辐射模块设计集成模块额定值

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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参考文献2

1M.Otsuki."The 6th generation 1200V advanced Trench FS-IGBT chip tech nologies achieving Iow noise and im- proved performance,"[].PCIM.2007
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