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IR开发出使用氮化镓的功率器件利用150mm的GaAs on硅晶圆

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摘要美国国际整流器公司（International Rectifier，IR）开发了使用氮化镓（GaN）半导体的功率器件技术平台（英文发布资料）。利用该平台制作的功率器件将考虑向AC-DC转换器、DO—DC转换器、马达驱动电路、照明器具、大功率音响设备及车载设备等扩展。

出处《现代材料动态》 2008年第11期26-26,共1页 Information of Advanced Materials

关键词功率器件氮化镓 GAAS AC-DC转换器开发硅晶圆国际整流器公司 IR

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学] TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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现代材料动态

2008年第11期

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