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硅光电子学加速未来计算和通信发展
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摘要
12月7日,英特尔公司宣布其研究团队在硅光电子学领域取得了又一项重大的技术突破,成功使用基于硅的雪崩光电探测器(Silicon-based Avalanche Photodetector)实现了创世界纪录的高性能,与目前市场上的同类器件相比可大幅度降低成本并提高性能。
出处
《通信世界》
2008年第46期I0002-I0002,共1页
Communications World
关键词
光电子学
通信发展
雪崩光电探测器
计算
加速
硅
英特尔公司
技术突破
分类号
TN201 [电子电信—物理电子学]
F632.3 [经济管理—产业经济]
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英特尔公司在硅基雪崩光电探测器件研究中取得重要进展[J]
.中国集成电路,2009,18(1):2-2.
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雷霆,罗国昭.
英特尔硅光电子学重大技术突破[J]
.新电脑,2009,33(1):165-165.
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徐学俊,陈少武,徐海华,孙阳,俞育德,余金中,王启明.
High-speed 2 × 2 silicon-based electro-optic switch with nanosecond switch time[J]
.Chinese Physics B,2009,18(9):3900-3904.
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苏锋.
“光计算机”又迈出一大步——英特尔高性能硅基雪崩光电探测器[J]
.微电脑世界,2009(1):12-14.
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袁立,吴灿,张兆华,任天令.
A Silicon-Based Positive-Intrinsic-Negative Photodetector Double Linear Array on a Thick Intrinsic Epitaxial Layer[J]
.Chinese Physics Letters,2014,31(5):187-190.
被引量:1
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丛慧,薛春来,刘智,李传波,步成文,王启明.
High-speed waveguide-integrated Ge/Si avalanche photodetector[J]
.Chinese Physics B,2016,25(5):470-473.
7
董赞,王伟,黄北举,张旭,关宁,陈弘达.
Low threshold voltage light-emitting diode in silicon-based standard CMOS technology[J]
.Chinese Optics Letters,2011,9(8):75-78.
被引量:2
8
Changping CHEN,Han WANG,Zhenyu JIANG,Xiangliang JIN,Jun LUO.
Design, Fabrication, and Measurement of Two Silicon-Based Ultraviolet and Blue-Extended Photodiodes[J]
.Photonic Sensors,2014,4(4):373-378.
被引量:1
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.中国纺织,2005(10):21-21.
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