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一种快速判断非晶硅／微晶硅相变域的新方法 被引量：2

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摘要 采用射频等离子体增强化学气相沉积方法制备了一系列不同硅烷浓度的硅薄膜材料,研究硅烷浓度变化对材料结构和电学特性的影响,寻找非晶/微晶相变域的位置;同时对材料沉积过程中的等离子体光发射谱(OES)进行了测试,并与Raman和电导结果相结合,研究采用OES的方法快速准确判断非晶/微晶相变域的可行性.并从理论上分析了OES方法可以判断非晶/微晶相变域的内在物理机制.
作者 侯国付 袁育杰 薛俊明 孙建 赵颖 耿新华
机构地区 南开大学光电子研究所 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 光电信息科学与技术教育部重点实验室(南开大学
出处 《中国科学（G辑）》 CSCD 2008年第5期494-499,共6页
基金 国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB202602和2006CB202603) 科学技术部国际合作重点项目(编号:2006DFA62390) 国家科技计划配套项目(编号:07QTPTJC29500)资助
关键词 非晶硅 微晶硅 相变域 光发射谱
分类号 O472 [理学—半导体物理]
  • 相关文献

参考文献10

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共引文献3

同被引文献8

引证文献2

二级引证文献14

中国科学（G辑）
2008年 第5期

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