氢化非晶硅薄膜喇曼及椭偏表征

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摘要用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,利用喇曼散射谱、椭偏透射谱和暗电导测试,通过改变辉光放电前SiH4气体温度,研究了气体温度对薄膜非晶网络结构和光电性能的影响.结果表明,随着辉光放电前SiH4气体温度从室温提高到433K,a-Si:H薄膜的短程有序和中程有序程度提高,折射率和吸收系数增强,同时,暗电导提高2个数量级.a-Si:H薄膜非晶网络结构的变化是其暗电导提高的主要原因.

作者廖乃镘李伟蒋亚东吴志明匡跃军祁康成李世彬

机构地区电子薄膜与集成器件国家重点实验室电子科技大学光电信息学院

出处《中国科学（E辑）》 CSCD 北大核心 2008年第11期1886-1890,共5页 Science in China(Series E)

基金国家杰出青年基金(批准号:60425101) 总装备部预研基金(批准号:06DZ02)资助项目

关键词氢化非晶硅等离子体增强化学气相沉积喇曼散射椭偏测量法

分类号 TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]

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