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HyniX发布首款54nm制程的2GB移动DRAM

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摘要日前，韩国半导体制造商Hynix（海力士）发布了目前世界第一款采用54nm工艺的2GB移动DRAM。Hynix突破了目前采用MCP封装以及PoP封装的移动DRAM只有最高1GB容量密度的限制，成功实现了2GB的容量密度。

出处《中国集成电路》 2009年第1期6-6,共1页 China lntegrated Circuit

关键词 DRAM HYNIX 移动 HYNIX 制程半导体制造商 POP MCP

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TP334.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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中国集成电路

2009年第1期

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