掺Er的In1—xGaxP的光致发光性能

PHOTOLUMINESCENT PROPERTIES OFEr-DOPED IN1-xGAxP

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摘要金属有机化学气相淀积用于制备掺Ｅｒ的Ｉｎ１ｘＧａｘＰ外延层。低温下，研究了温度与光致发光性质的关系作为合金成分的函数，其中合金成分为ｘ＝０－０．９８，发现所有掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层都在０．８０１ｅＶ处有一上强光致发光峰，与合金成分无关，２９５Ｋ时观测到Ｉｎ０．５２Ｇａ０．４８Ｐ样品的Ｅｒ＾３＋离子的光致发光特征峰，发光强度明显降低。 he Er-doped In1-x　GaxP layers have been prepared by atmospheric pressure metallorganic chemical vapor deposition.Temperature-dependent photoluminescent propeties were studied as a function of alloy composition for x=0～0.98.All the Er-doped In1-x　GaxP　layers　exhibited　strong　PL　emission　at　0.801eV　which　was　independent　of　the　alloy　composition.For　In0.48　Ga0.52P　alloy　Er3+-related　luminescence　is　observed　at　295K.

作者张喜田李德敏

机构地区哈尔滨师范大学

出处《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 1998年第2期37-39,共3页 Natural Science Journal of Harbin Normal University

关键词铒光致发光化合物半导体 MOCVD Ⅲ-Ⅴ族化合物 Rare earth Photoluminescence Metallorganic chemical vapor

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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哈尔滨师范大学自然科学学报

1998年第2期

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