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掺锑CdSnO_3体系的固溶与导电机制研究 被引量:2

Study on the Solid Solution and Conductive Mechanism of Sbdoped CdSnO3 System
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摘要 按CdSbxSn1-xO3进行化学量配比,以化学共沉淀法制得系列掺锑CdSnO3固溶体粉料.XRD分析结果表明,掺锑固溶的x值范围为0<x<0.3.研究固溶体组成与电导的关系发现:随着锑离子的溶入,材料的电阻先是较大程度地降低,然后再缓慢升高,并在掺锑固溶量的x值为0.02和0.25时,分别出现了两个电阻最低点.探讨了体系的固溶性与导电机制. Sbdoped CdSnO3 solid solution powder was prepared by chemical coprecipitation in accordance with the formula CdSbxSn1-xO3. XRD results indicated the 0<x<03. The electric resistance of the samples markedly decreased at first and then increased gradually with the doped Sb content. Samples with x=002 and 025 showed the lowest value of resistance. The mechanisms of solid solubility and conductivity of the system have been discussed.
出处 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期60-63,共4页 Chinese Journal of Applied Chemistry
基金 国家自然科学基金
关键词 固溶体 导电机制 气敏材料 偏锡酸镉 气敏半导体 CdSnO3,solid solution,conductive mechanism,gas sensing material
  • 相关文献

参考文献6

二级参考文献5

  • 1张天舒,1993年
  • 2张天舒,J Mater Sci Lett
  • 3张瑞芳,应用化学,1994年,11卷,4期,66页
  • 4黄兆新,传感技术学报,1993年,6卷,1期,40页
  • 5徐甲强,沈瑜生,曾桓兴,王弘.超微粒氧化铁薄膜的敏感特性研究[J].传感技术学报,1991,4(1):32-36. 被引量:6

共引文献3

同被引文献3

引证文献2

二级引证文献14

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