摘要
近年来,静态RAM(SRAM)器件的发展主要集中于提高存取速度和扩大存贮容量两个方面。就器件的速度性能而言,目前已有若干存取时间在15ns(256K—bit)～35ns(1M-bit)的SRAM,速度最高者更可达到3ns(64K-bit)的水平。从容量方面来看,256K-bit的器件已较普遍。单片SRAM的最大容量目前可以达到1M-bit,同时还出现了外形封装与普通单片器件相似的2～4M-bit模块型阵列电路。本文将从器件的制造工艺和电路结构出发,对这类新型SRAM的主要性能特点作一简要介绍。
出处
《集成电路应用》
1990年第6期8-11,共4页
Application of IC
