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HgCdTe材料特性及其对红外焦平面列阵性能的影响(下)
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摘要
本红外探测器装有一个能将入射红外辅射转换成电信号的辐射热计(1)。N型MOS场效应管(2)的漏极与辐射热计的第二端子相连,而其源极则与电源相连。一个转移栅极(AND4)连接N型MOS场效应管的源极。
作者
CharlesA.Cockrum
高国龙
机构地区
美国圣巴巴拉研究中心
出处
《红外》
CAS
1998年第2期30-35,共6页
Infrared
关键词
汞镉碲
红外材料
材料性
红外焦平面列阵
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
TN214.03 [电子电信—物理电子学]
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红外
1998年 第2期
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