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HgCdTe材料特性及其对红外焦平面列阵性能的影响(下)

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摘要 本红外探测器装有一个能将入射红外辅射转换成电信号的辐射热计(1)。N型MOS场效应管(2)的漏极与辐射热计的第二端子相连,而其源极则与电源相连。一个转移栅极(AND4)连接N型MOS场效应管的源极。
出处 《红外》 CAS 1998年第2期30-35,共6页 Infrared
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