摘要
纳秒脉冲/直流强中子发生器主要由ECR离子源、加速管、高压电源、纳秒脉冲聚束系统、束传输系统、真空系统、控制系统、辅助系统等组成,具有脉冲和高产额的特点,高压300kV。该中子发生器有两条传输通道,其中一条为纳秒脉冲束线,产生纳秒脉冲中子,纳秒脉冲宽度小于或等于1.5ns,重复频率1kHz-4MHz;另一条为直流或微秒脉冲束线,产生连续中子或微秒脉冲中子,当直流D^+束流为10mA时,采用旋转靶,中子产额可达1×10^12s^-1;微秒脉冲宽度10~100μs,脉冲频率1~1000Hz。采用含氚废气净化系统净化加速器真空系统尾气中的氚。
出处
《中国工程物理研究院科技年报》
2008年第1期39-39,共1页
Annual Report of China Academy of Engineering Physics