GaN基薄膜材料和器件的最新进展被引量：6

Recent Progress of GaNBased Film Materials and Devices

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摘要综述了ＧａＮ基薄膜材料研制与器件开发的新进展，着重阐明其技术突破与商品化应用前景。 Recent progress of GaNbased materials and devices is reviewed,and its technological innovation and potential commercial applications are stressed.

作者李玉增

机构地区北京有色金属研究总院

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期2-5,共4页 Semiconductor Technology

关键词半导体薄膜薄膜材料氮化镓 GaN Semiconductor film Thimfilm material Device

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN304.055 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1998年第3期

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