期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

多晶硅薄膜材料与器件研究进展 被引量：1

Progress in research on polycrystalline silicon film and device
下载PDF
导出
摘要 多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,综述了多晶硅薄膜材料及其器件的特点、制备方法及研究进展. Polycrystalline silicon films are widely used in energy sources and informational science field. The characteristic, manufacturing method, and progress in research on polyerystalline silicon films and device are reviewed.
作者 王红娟 张帅
机构地区 南阳师范学院物理与电子工程学院
出处 《南阳师范学院学报》 CAS 2009年第3期42-47,共6页 Journal of Nanyang Normal University
关键词 多晶硅薄膜 器件 化学气相沉积 固相晶化 polysilicon thin films device CVD SPC
分类号 O484.1 [理学—固体物理]
  • 相关文献

参考文献38

  • 1Ishikawa Y, Yamamoto Y, Hatayama T, Uraoka Y, Fuyuk T. Crystallographic analysis of high quality polySi thin films deposited by atmospheric pressure chemical vapor deposition [ J ]. Solar Energy Materials & Solar Cells,2002,74:255 - 260.
  • 2Park Joong Hyun, Kim Do Young, Ko Jae Kyung, Chakrabarty K, Yi Junsin. High temperature crystallized poly-Si on Mo substrates for TFT application [ J]. Thin Solid Films, 2003, 427:303 - 308.
  • 3Kylie R Catchpole, Michelle J McCann, Klaus J Weber, Andrew W Blakers . A review of thin-film crystalline silicon for solar cell applications. Part 2: Foreign substrates [J]. Solar Energy Materials & Solar Cells , 2001,68 : 173 - 215.
  • 4Mase H, Kondo M, Matsuda A. Microcrystalline silicon solar ceils fabricated on polymer substrate [ J ]. Solar Energy Materials &Solar Cells , 2002,74 ( 5 ) : 547 - 552
  • 5Takagi T, Hayashi R, Ganguly G. Gas-phase diagnosis and high-rate growth of stable a-Si: H [ J]. Thin Solid Films , 1999,345 ( 1 ) :75 - 79.
  • 6Makoto Fukawa, Susumu Suzuki, Guo Lihui, et al. High rate growth of microcrystalline silicon using a high-pressure depletion method with VHF plasma[ J]. Solar Energy Materials &Solar Cells, 2001,66(2) :217 -223.
  • 7Teng L H, Anderson W A. Thin film transistors on nanocrystalline silicon directly deposited by a microwave plasma CVD [ J ]. Solid-State Electronics, 2004, 48 (2) :309 -314.
  • 8黄创君,林璇英,林揆训,余楚迎,姚若河.低温制备高质量多晶硅薄膜技术及其应用[J].功能材料,2001,32(6):561-563. 被引量：17
  • 9Cicala G, Capezzuto P. Bruno Plasma enhanced chemical vapor deposition of nanocrystalline silicon films from SiF4 -H2 -He at low temperature[J]. Thin Solid Film,1999,337 (1):59 -62.
  • 10Fortunato G. Polycrystalline silicon thin-film transistor: A continuous evolving technology[ J]. Thin Solid Films, 1997,296:82 - 90.

二级参考文献77

  • 1于振瑞,耿新华,孙云,刘世国,孙钟林,徐温元.掺硼（B）非晶硅（a－Si：H）材料固相晶化（SPC）的研究[J].太阳能学报,1994,15(2):132-136. 被引量：6
  • 2靳锐敏,卢景霄,扬仕娥,王海燕,李瑞,冯团辉,段启亮.温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响[J].电子元件与材料,2005,24(8):41-42. 被引量：4
  • 3曲新喜.电子薄膜材料[M].北京:科学出版社,1996.138-140.
  • 4王瑞春 沈鸽.a－Si：H薄膜的Al诱导晶化.2000年材料科学与工程新进展[M].北京:冶金工业出版社,2000.1644.
  • 5韩伟强.纳米硅系薄膜研究.浙江大学博士学位论文[M].,1995..
  • 6[1]Pramanik D. Saxena A N. Solid state technology January. 1983. 127
  • 7[2]Arimoto S. Solar energy materials and solar cell 3. 5. 1994. 257
  • 8[3]Matsuda A et. al. J. Non-Cryst. Solids. 1983, 767: 59-60
  • 9[4]AshtikrMS, SharmaGL. J. Appl. Phys. 1995, 78 (2): 915-918
  • 10[5]Tilo P. Drusedau and jurgen blasing Appl. Phys. Lett. 1998, 72 (12): 1510-1512

共引文献73

同被引文献5

引证文献1

二级引证文献2

南阳师范学院学报
2009年 第3期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部