间接带隙纳米半导体材料的量子限制理论

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摘要研究了间接带隙材料量子点的量子限制理论,阐明了间接带隙到直接带隙光跃迁性质的转变机理,计算了激子跃迁能和激子结合能,这些理论结果提示了在纳米 Si、Ge 发光过程中的量子限制效应的重要性。

作者薛华

机构地区西北民族学院物理系

出处《西北民族大学学报（自然科学版）》 1998年第1期103-106,共4页 Journal of Northwest Minzu University(Natural Science)

关键词量子点激子量子限制效应

参考文献1

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西北民族大学学报（自然科学版）

1998年第1期

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