(110)晶向衬底提高pMOS性能

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摘要 Intel和另一家顶级器件制造商正在研究使用（110）晶向的硅片衬底来提高pMOS的迁移率。在2008年的国际电子器件会议（IEDM）上，Intel的32nm器件经理PaulPackan表示：Intel在（110）晶向衬底上制造的45nm晶体管，得到了与预想一致的结果，pMOS驱动电流达到了1．2mA／pm，同时，nMOS驱动电流并未退化很多。

作者 David Lammers

出处《集成电路应用》 2009年第3期I0001-I0001,共1页 Application of IC

关键词 PMOS 衬底晶向性能电子器件驱动电流 NMOS

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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