摘要
利用提高硅粉薄层温度的方法，使冷等离子体对硅提纯达４Ｎ（９９．９９％）。本文用反应动力学的方法分析提纯机理，建立必要的方程以探讨影响提纯的因素。
Rising the temperature of silicon powder layer,the cold plasma;can purify
silicion up to more than 4N (99.99%). The purifing mechanism is analyzed by the reaction kinetic
method and the necessary equations have been set to discuss the effects on purification of silicon
powder layer.
出处
《微细加工技术》
EI
1998年第1期63-68,共6页
Microfabrication Technology
基金
国家自然科学基金
关键词
冷等离子体
硅的纯化
化学反应动力学
Cold plasma
purification of Si
Chemstry reaction kinetics
