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一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源 被引量：3

A Bandgap Voltage Reference with High Power Supply Rejection Ratio
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摘要 根据带隙基准电压源理论，在传统CMOS带隙电压源电路结构的基础上，采用曲率补偿技术，对一阶温度补偿电路进行高阶补偿，获得了一种结构简单，电源抑制比和温度系数等性能都较好的带隙电压基准源。该电路采用CSMC0．5μm标准CMOS工艺实现，用Spectre进行仿真。结果表明，在3．3V电源电压下，在-30℃～125℃范围内，温度系数为3．2×10^-6／℃；在27℃下，10Hz时电源抑制比（PSRR）高达118dB，1kHz时（PSRR）达至086dB。 A novel bandgap voltage reference with simple structure was designed based on classic bandgap reference structure. Using curvature compensation technique, the bandgap voltage reference features high power supply rejection ratio （PSRR） and low temperature coefficient. This circuit was implemented in CSMC＇s standard 0. 5μm CMOS process. Simulation results showed that the circuit had a temperature coefficient of 3. 2 ×10^-6/℃ at 3 V supply voltage from -30 ℃ to 125 ℃ and a PSRR up to 118 dB （10 Hz） and 86 dB （1 kHz） at 27 ℃.
作者 吴宗桂 邓爱枝 秦水介 杨发顺
机构地区 贵州大学理学院 贵州省光电子技术及应用重点实验室
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期499-502,共4页 Microelectronics
基金 国家自然科学基金资助项目(60666001) 教育部"优秀青年教师资助计划"资助项目(教人司[2003]355号) 贵州省优秀青年科技人才培养计划基金资助项目(黔科合人字No.2013) 2006年度教育部博士点基金资助项目
关键词 带隙基准源 温度系数 电源抑制比 曲率补偿 Bandgap voltage reference Temperature coefficient PSRR Curvature compensation
分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献8

二级参考文献71

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引证文献3

微电子学
2009年 第4期

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