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自旋场效应晶体管的原理和研究进展 被引量：2

PRINCIPLE AND RESEARCH PROGRESS OF SPIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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摘要 基于电子具有自旋的特性,介绍了自旋场效应晶体管的基本原理和研究进展;通过研究发现自旋场效应晶体管具有良好的电导开关效应,外加磁场后则呈现出磁开关效应. Based on the spin properties of electron, we have introduced the basic principles and progress of the spin field-effect transistor （SFET）. It has been shown that the SFET exhibit excellent switching effect and magnetic switching effect when external magnetic field is applied.
作者 杨军 蒋开明 葛传楠 张俊男
机构地区 解放军理工大学理学院数理系 上海海事大学物理系 江苏教育学院物理系
出处 《物理与工程》 2009年第4期8-11,7,共5页 Physics and Engineering
关键词 自旋电子学 极化 自旋场效应晶体管 自旋输运 开关效应 spin-electronics polarization spin field-effect transistor spin transportation switching effect
分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献20

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共引文献28

同被引文献7

引证文献2

二级引证文献1

物理与工程
2009年 第4期

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