摘要
室温下在Eu2+掺杂的BaBrCl中,发现经X射线辐照后的光激励发光(PSL).光激励谱和差吸收谱(DAS)基本相同,均为峰值波长位于550和675nm处的宽带谱,表明经X射线辐照后F心形成.这使得用半导体激光器代替气体激光器作为读出光源成为可能.PSL强度与X射线辐照剂量呈线性关系,转化效率为BaFBr:Eu富士IP板的29%.
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第20期3079-3082,共4页
Chinese Science Bulletin
基金
国家自然科学基金(批准号:60877025)
北京市科技计划项目(编号:Z08000303220803)
北京自然科学基金(编号:2092024)
国家杰出青年科学基金(批准号:60825407)资助项目
