摘要
采用气态源分子束外延设备生长了GaAs/AlGaAs束缚态到连续态跃迁结构的太赫兹(THz)量子级联激光器(QCL)有源区结构,研究了半绝缘等离子体波导THzQCL的器件工艺,采用远红外傅里叶变换光谱仪以及探测器测量了器件的电光特性.器件激射频率为3·2THz,10K下的阈值电流密度为275A/cm2.
The active region of GaAs/AlGaAs bound-to-continuum terahertz quantum-cascade laser （THz QCL） is grown by gas-source molecular beam epitaxy. The device fabrication process of semi-insulating surface-plasmon THz QCL is studied in detail. The electrical and optical characteristics of the fabricated THz QCL device are measured using a far-infrared Fourier transform infrared spectrometer with a deuterated triglycerine sulfate far-infrared detector. At 10 K,the measured lasing frequency is 3.2 THz and the threshold current density is 275 A/cm^2.
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期2169-2172,共4页
Acta Physica Sinica
基金
国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310402)
国家自然科学基金(批准号:60721004,60606027)
中科院重要方向项目(批准号:KGCX2-YW-231)
中科院重大基金和“百人计划”资助的课题~~
关键词
太赫兹
量子级联激光器
波导
器件工艺
terahertz
quantum-cascade laser
waveguide
device process
