摘要
阴极阵列形貌是影响场致发射材料发光性能的关键因素。以Czochralski(Cz)法制备的Si-TaSi2共晶复合材料为场发射阴极材料,采用湿法腐蚀制备Si基TaSi2尖锥型场发射阴极阵列。通过调整腐蚀液配比、腐蚀时间和腐蚀液温度,研究了不同腐蚀条件对Si基TaSi2尖锥形貌及阴极阵列制备的影响,获得了Si基TaSi2尖锥阴极阵列的最佳制备工艺,并对其场发射性能进行了测试。结果表明:在室温17℃,腐蚀液配比v(HF)∶v(HNO3)=1∶4,腐蚀时间15 min下得到了高长径比的TaSi2尖锥,阵列具有较好的场发射性能,开启场强为3.84 V/μm。
Patterns of cathode obviously influence the luminescence properties of field emitter materials. The Si-TaSi2 eutectic in situ composite prepared by Ozochralski （Cz） crystal growth technique was used to prepare field emitters by wet corrosion. The effects of HF/HNO3 concentration, corrosion time and temperature of solution on TaSi2 cone patterns by etching Si-TaSi2 eutectic were investigated. The optimum corrosion technology is v （HF） ： v （HNO3） = 1 ： 4, corrosion time 15 min at room temperature （17 ℃ ）. The corresponding array presents good field emission properties, in which the turn-on field is about 3.84 V/μm.
出处
《铸造技术》
CAS
北大核心
2010年第5期571-574,共4页
Foundry Technology
基金
凝固技术国家重点实验室自主研究课题(08-QZ-2008)
国家自然科学基金(50772090)
