得可太阳能即将亮相Semicon West 2010展

下载PDF

导出

摘要得可太阳能已准备参加于7月13日至15日期间,在旧金山Moscone中心举行的Semicon West展会。届时在展会现场北厅5251展位,得可太阳能团队将向观众介绍公司最新的技术创新和工艺进展。

作者本刊通讯员

出处《电子与封装》 2010年第7期47-47,共1页 Electronics & Packaging

关键词 SEMICON 太阳能技术创新旧金山展会

1齐立礼,汪志方.美,日电子材料及工艺进展（七）[J].科技情报（长沙）,1989(2):6-7.
2王家楫.双极VLSI工艺进展[J].半导体杂志,1989(2):35-40.
3吴登峰,邬玉亭,褚家如.阳极键合工艺进展及其在微传感器中的应用[J].传感器技术,2002,21(11):4-7. 被引量：6
4马香柏,郝跃,张进城.微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展[J].电子科技,2006,19(10):1-4.
5王家楫.BiCMOS VLSI工艺进展[J].半导体杂志,1991,16(3):10-15.
6赵明璐,王定理,马卫东.铌酸锂光波导制作工艺进展[J].光通信研究,2012(2):35-38. 被引量：3
7关铁樑.光纤偏振器性能及工艺进展[J].光通信技术,1993,17(6):331-338. 被引量：4
8邓志杰.SiC半导体电子学工艺进展[J].有色与稀有金属国外动态,1995(9):1-2.
9邓小军,曹正州.应用于三维封装中的硅通孔技术[J].电子与封装,2012,12(9):18-23. 被引量：4
10Tao Zhong,Ying Huang,Chih-Hsun Hsu,Scott Williams,Benjamin Schwarz.新颖CMOS图像传感器刻蚀工艺进展[J].功能材料与器件学报,2013,19(6):312-313.

电子与封装

2010年第7期

浏览历史

内容加载中请稍等...