美光科技推出第三代低延时内存美光与领先芯片组和定制ASIC设计公司合作开发高带宽、低延时网络解决方案

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摘要 2010年7月14日，美光科技（Micron Technology，Inc）推出了第三代低延时DRAM（RLDRAM 3内存）——一种高带宽内存技术，能更有效地传输网络信息，满足视频内容、移动应用和云计算蓬勃发展的需要。与前几代产品相比，美光新的RLDRAM3内存进一步提高了存储密度和速度，同时最大限度地减少了延迟，降低了功耗，在网络应用中性能更好。

机构地区美光科技

出处《电子技术应用》北大核心 2010年第8期84-84,共1页 Application of Electronic Technique

关键词内存技术低延时第三代科技网络信息移动应用视频内容存储密度

分类号 TN912.3 [电子电信—通信与信息系统]

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电子技术应用

2010年第8期

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