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在FEA中使用的MOSFET技术

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摘要本文对以ＭＯＳＦＥＴ（金属氧化物硅场效应薄膜晶体管）技术提高ＦＥＤ（场致发射显示）等器件的ＦＥＡ（场致发射阵列）阴极发射电流的稳定性作了说明，并就对ＭＯＳＦＥＴ技术的改进作了介绍。

作者季旭东

机构地区华东电子集团公司

出处《光电技术》 1999年第2期74-79,共6页

关键词 MOSFET FED FEA 场致发射阵列场致发射显示

分类号 TN141 [电子电信—物理电子学] TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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光电技术

1999年第2期

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