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激光诱导化学气相沉积法制备a-Si_3N_4纳米粒子研究 被引量:6

Study on Nanometer Sized a Si 3N 4 Particles by Laser Induced Chemical Capor Deposition Method
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摘要 给出激光化学气相沉积法制备a-Si3N4纳米粒子的原理和经验公式,在特定工艺参数下获得平均粒径为10nm左右的优良a-Si3N4纳米粒子。红外吸收和拉曼光谱研究表明,a-Si3N4纳米粒子中存在Si-N,Si-H,N-H,Si-O-Si键,分析了a-Si3N4纳米粒子在不同的温度和气氛退火后的变化情况。 In this paper,the principle and the empirical formulas of the preparation for nanometer sized a Si 3N 4 particles by laser induced chemical vapor deposition(LICVD) are given.Under certain technological parameters,the high quality nanometer a Si 3N 4 particles whose average diameter is about 10nm are obtained.The studies of IR and Raman show that there are Si-N ,Si-H,N-H,Si-O-Si bonds in a Si 3N 4.An analysis of Raman spectra of a Si 3N 4 for thermal treatment in various temperature and atmosphere are made.
出处 《中国粉体技术》 CAS 1999年第3期30-32,共3页 China Powder Science and Technology
关键词 非晶态氮化硅 纳米粒子 激光化学气相沉积法 amorphous Si 3N 4 nano partical laser induced chemical vapor depostion method
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献4

  • 1李道火,物理学报,1993年,42卷,453页
  • 2张立德,科学,1991年,45卷,13页
  • 3Yin Z,J Non-Cryst Solids,1989年,114卷,489页
  • 4Zhu X,Phys Rev B,1987年,35卷,9085页

共引文献7

同被引文献41

引证文献6

二级引证文献8

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