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多层静电键合专用设备的研制

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摘要 静电键合是MEMS器件加工的重要技术之一,在MEMS生产制造过程中,由于其本身的结构特点以及组成材料的要求,常常需要进行多层材料(功能元件)间的连接,目前通常采用2个电极通过一次电极反接的方式实现多层样片之间的静电键合,但是第2次键合过程中在第1次键合面形成的反向电压会减弱键合的强度,本文针对这种情况研制了1套双阴极共阳极的多层静电键合专用设备,并用该设备进行了静电键合试验,结果表明,键合质量明显改善,键合界面牛顿环清晰可见,未出现破坏区和斑点区,由此可见,该设备是多层静电键合的最佳选择。
出处 《焊接技术》 北大核心 2011年第1期50-52,共3页 Welding Technology
基金 回国留学人员科研资助项目(20081072)
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参考文献5

二级参考文献6

  • 1中国电子学会生产技术学分会丛书编委会.微电子封装技术[M].安徽合肥:中国科学技术大学出版社,2003,1..
  • 2Tong Q-Y,Usele.Semiconductor wafer bonding science and technology[M].New York:A wiley inter-science publication,2003.
  • 3Wen H Ko.Review Packaging of microfabricated devices and systems[J].Materials Chemistry and Physics,1995,42:169-175.
  • 4Wallis G,Pomerantz D I.Field assisted glass-metal sealing[].Journal of Applied Physics.1969
  • 5Michael Harz.Anodic bonding for the third dimension[].Journal of Micromechanics and Microengineering.1992
  • 6Visser,MM,Plaza,JA,Wang,DT,Hannebor,AB.Chemical analysis of bonded and debonded silicon–glass interfaces[].Journal of Micromechanics and Microengineering.2001

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