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PL Property of C-doped a-SiO2 after 950 MeV Pb Ion Irradiation

PL Property of C-doped a-SiO2 after 950 MeV Pb Ion Irradiation
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出处 《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版》 2007年第1期66-66,共1页 IMP & HIRFL Annual Report
基金 Supported by National Natural Science Foundation of China(10125522 10475102)and the Chinese Academy of Sciences.
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