期刊文献+

航天器用火工品防静电技术的研究

原文传递
导出
摘要 对航天器用火工品静电产生的原因及其对火工品的破坏机制等进行了介绍,提出了静电的防护措施,对电子设备的过压保护技术方法进行简要叙述,以期能在火工品防静电中得到应用。
出处 《飞航导弹》 北大核心 2011年第1期63-66,共4页 AERODYNAMIC MISSILE JOURNAL
  • 相关文献

参考文献11

二级参考文献21

  • 1许碧英,王莹.武器新型安全引爆系统的比较和选择〈上〉[J].现代兵器,1991(7):36-40. 被引量:1
  • 2周彬,徐振相,刘西广,秦志春,王成.半导体桥对粒状炸药的微对流传热数值模拟[J].南京理工大学学报,1996,20(6):493-496. 被引量:15
  • 3[2]Edward L.Hendley,Jr.,Angleton,Tex.Shape Charge for a Perforating Gun Including AN integrated Circuit Detonator and Wire Contactor Responsive to Ordinary Current for Detonation.US005094167a,1992,10.
  • 4[4]R.W.Bickes,Jr.SCB Explosive Studies.DE87005620.
  • 5[5]Jongdae Kim,Kee-Soo Navn,K.C.Jungling.Plasma Electron Density Generated by a Semiconductor Bridge as a Function of Input Energy and Land Material.IEEE Transactions on Electron Devicess,1997,44(6):1022~1026
  • 6[6]R.W.Bickes,Jr.,S.L.Schlobohm,D.W.Ewick et al.Semiconductor Bridge(SCB)Igniter Studies:I:Comparison of SCB and Hot-wire Pyrotechnic Actuators.SAND 87-3095C1(DE88-008802)
  • 7[7]R.W.Bickes,Jr.,C.B.McCampbell.Semiconductor Bridge(SCB)Research and Development.SAND 91-0310C,1991
  • 8[9]R.W.Brickes,Jr.,M.C.Grubelich,S.M.Harris et al.An Overview of Semiconductor Bridge,SCB,Application at Sandia Laboratories.AIAA95-2549,1995,7(DE95011877)
  • 9[10]Dahmberg Sven,Jonsson Elof,Lilius Per et al.Detonator.US4869170,1989,9
  • 10[11]D.A.Benson,B.H.Rose.An Electro-optic Explosive Igniter.SAND 87-2597(DE88-004728)

共引文献36

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部