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溶胶——凝胶法制备VOx薄膜的半导体——金属相转变 被引量:4

Semiconductor-Metal Phase Transition of VOx Thin Films Prepared by the Sol-Gel Method
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摘要 本文用 VO(i-OC_3H_7)_3为原料采用溶胶—凝胶浸渍法在石英玻璃基片上制备了凝胶薄膜,通过真空热处理获得了具有半导体—金属可逆相转变现象的 VO_x(2≤x<2.5)薄膜,其相转变温度为67℃,相转变前后近红外区域薄膜的透过率变化可达50%,红外光谱研究表明,x 值接近于2。 VO(i-OC_3H_7)_3 being used as the starting material,VO_x thin films have beenprepared on silica glass substrates by the sol-gel dip-coating method and heat trea-ted under vacuum conditions.These thin films show a reversible sem(?)conduc(?)or-metal phase transition at 67℃.The chage of transmittance in the near IR regiondue to the phase transition is as high as 50%.Infrared spectra show that the va-lue of x is close (?) 2.
出处 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期175-180,共6页 Journal of Inorganic Materials
基金 国家自然科学基金(第2860381号)资助
关键词 VOx薄膜 半导体—金属相转变观象 溶胶—凝胶法 VOx thin films Semiconductor-metal phase transition Sol-gel method
  • 相关文献

参考文献1

  • 1侯印春,中国激光,1985年,12卷,12期,705页

同被引文献55

引证文献4

二级引证文献88

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